Снижение капитальных затрат — это лишь одно из неприятных последствий кризиса перепроизводства на рынке памяти, о которых руководство Micron Technology говорило инвесторам на квартальном отчётном мероприятии. В сложившихся условиях компания собирается отложить переход на новые ступени литографии и задержать миграцию памяти 3D NAND на компоновку с количеством слоёв более 232 штук.
Источник изображения: Micron Technology
При этом о своих успехах в освоении массового выпуска 232-слойной памяти типа 3D NAND представители Micron говорили без ложной скромности. Формальный анонс твердотельных накопителей серии 2550, которые её используют, напомним, состоялся в начале текущего месяца. Не учитывая всерьёз способность китайской компании YMTC выпускать 232-слойную память 3D NAND, американский конкурент со всей ответственностью называет себя лидером рынка. По словам главы Micron Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), перевод производства оперативной памяти на техпроцесс класса 1β нм и твердотельной памяти на 232-слойную компоновку обеспечивают снижение затрат на выпуск продукции, но компания вынуждена сдерживать темпы миграции, чтобы сохранять более выгодный баланс спроса и предложения.
При этом уровень брака на этих направлениях полностью соответствует ожиданиям производителя, и новые технологии будут постепенно внедряться по всему ассортименту продукции. Тот же техпроцесс 1β нм, например, со временем будет использоваться для выпуска микросхем типов DDR5, LPDDR5, HBM и GDDR. Он был представлен в минувшем фискальном квартале, переход на эту ступень литографии обеспечивает повышение энергетической эффективности на 15 % по сравнению с предшествующей и увеличение плотности размещения транзисторов более чем на 35 %.
В минувшем квартале Micron начала сертификацию 24-гигабитных микросхем DDR5, выпущенных по техпроцессу класса 1α нм, а также объявила о доступности микросхем памяти DDR5, сертифицированных на совместимость с процессорами AMD EPYC семейства 9004. Клиенты компании в серверном сегменте также получили первые образцы памяти с поддержкой интерфейса CXL. В прошлом квартале удвоилось количество клиентов, использующих серверные накопители на основе 176-слойной памяти типа 3D NAND. Один из корпоративных клиентов Micron скоро завершит сертификацию накопителей на базе 176-слойной памяти типа QLC. В целом, в прошлом квартале доля микросхем типа QLC в структуре поставок памяти для твердотельных накопителей достигла нового рекорда.
Micron теперь рассчитывает перевести оперативную память на техпроцесс класса 1γ нм не ранее 2025 года, поскольку в существующих рыночных условиях делать это раньше не имеет экономического смысла. С увеличением количества слоёв флеш-памяти 3D NAND за пределы 232 штук тоже придётся повременить, как даёт понять руководство компании. Подобные тенденции будут характерны для отрасли в целом и не являются специфической проблемой Micron. В любом случае, компания в своём технологическом лидерстве не сомневается и с уверенностью смотрит в будущее.
