Компания Samsung планирует использовать технологию под названием Back Side Power Delivery Network (BSPDN) в производственном процессе при выпуске 2-нм чипов. Эта технология была представлена на прошлой неделе исследователем Пак Бён Чжэ (Park Byung-jae) на конференции SEDEX 2022, организованной компанией Samsung.
Источник изображения: IMEC
В техническом плане, BSPDN не меняет способ размещения транзисторов на кристалле, а представляет собой дальнейшую эволюцию чиплетного дизайна, используемого Samsung, Intel и TSMC, и является развитием таких технологий, как FinFET, GAA и MBCFET.
BSPDN позволяет создавать сложные «системы-на-чипе» (SoC), в которые могут входить различные чипы разных компаний, изготовленные по разным технологическим процессам.
Ещё одним преимуществом технологии BSPDN является возможность создания так называемых 3D-SoC — чиплетов, в которых логические элементы объединены с памятью. Технология BSPDN также позволяет разместить токопроводящий слой под кремнием и использовать верхний слой (FSPDN) для управляющих сигналов и питания.
По предварительным расчётам, чипы, изготовленные по новой технологии BSPDN будут иметь на 44 % более высокую производительность и потреблять на 30 % меньше энергии, чем существующие в данный момент 3-нм чипы Samsung, выполненные с использованием GAA-транзисторов.
